FQP30N06L
onsemi
Deutsch
Artikelnummer: | FQP30N06L |
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Hersteller / Marke: | AMI Semiconductor/onsemi |
Teil der Beschreibung.: | MOSFET N-CH 60V 32A TO220-3 |
Datenblätte: |
|
RoHs Status: | ROHS3 -konform |
ECAD -Modell: | |
Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
Aktie: |
Ship From: Hong Kong
Anzahl | Einzelpreis |
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1+ | $1.97 |
10+ | $1.77 |
100+ | $1.4227 |
500+ | $1.1689 |
1000+ | $0.9685 |
2000+ | $0.9017 |
5000+ | $0.8683 |
10000+ | $0.8349 |
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Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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VGS (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Vgs (Max) | ±20V |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Supplier Device-Gehäuse | TO-220-3 |
Serie | QFET® |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 35mOhm @ 16A, 10V |
Verlustleistung (max) | 79W (Tc) |
Verpackung / Gehäuse | TO-220-3 |
Paket | Tube |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Befestigungsart | Through Hole |
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1040 pF @ 25 V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 20 nC @ 5 V |
Typ FET | N-Channel |
FET-Merkmal | - |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 5V, 10V |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 60 V |
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 32A (Tc) |
Grundproduktnummer | FQP30 |
FQP30N06L Einzelheiten PDF [English] | FQP30N06L PDF - EN.pdf |
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2024/06/6
2024/04/18
2024/04/13
2023/12/20
![]() FQP30N06Lonsemi |
Anzahl*
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Zielpreis (USD)
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